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IPD038N04N G /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPD038N04N G的规格信息
IPD038N04N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 45µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4500pF @ 20V

功率 - 最大值:94W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

其它名称:IPD038N04N G-NDIPD038N04NGBTMA1SP000391507

供应商IPD038N04N G
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